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红外探伤仪的特点

多晶硅红外探伤仪 - 产品特点

■ 为太阳能多晶硅片过程中的质量控制提供了强大的监测工具

■ 检测速度快,平均每个硅块检测时间为不超过1分钟

■ NIRVision软件能够分析4面探伤结果,并且直接将结果转换成三维模型图像

■ 成像过程将自动标出夹杂的位置所在

■ 独特的加强型内插法为高分辨率的杂质探伤功能提供了强大的技术保障

■ 采用欧洲数控工程铝合金材料

■ 表面都采用了高强度漆面和电氧化工艺保护

■ 系统外框采用高质量工业设计

■ 所有的部件的设计都达到了长期高强度使用及最小维护量的要求

■ 能够通过自动或手动旋转对硅块的前后左右四面和上下两面进行全面探伤。

■ 红外光源通过交直流光源进行控制,光强可以通过软件直接控制,同时它具有过热保护功能

■ 同时软件包含了杂质图像的管理分析功能

■ 稳定性和耐用性俱佳。

■ 探伤测试面最好进行抛光处理,因此我们推荐在线切割之前进行红外探伤

■ 红外成像光源受电阻率影响,硅块电阻率越低,则对红外光的吸收越多

■ 一般电阻率不能低于0.5Ohm*Cm,我们推荐的电阻率在0.8Ohm*Cm以上

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